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電子雷管點(diǎn)火控制ASIC 2.0芯片（內(nèi)部代號(hào)JQ2012）于2023年一季度研發(fā)成功并在市場(chǎng)中推廣，其性能深受客戶認(rèn)可、廣獲業(yè)內(nèi)好評(píng)。

 JQ2012芯片優(yōu)化升級(jí)的主要功能包括：

（1）功耗改進(jìn)

功耗是電子雷管芯片的核心性能參數(shù)，功耗越低，電子雷管芯片組網(wǎng)能力越強(qiáng)。經(jīng)測(cè)試，JQ2012實(shí)測(cè)功耗10.5uA，比JQ2010C芯片（18-19uA）降低了40%以上。

（2）優(yōu)化高溫適應(yīng)性

JQ2012芯片優(yōu)化了系統(tǒng)架構(gòu)，改進(jìn)了部分元器件尺寸，改進(jìn)了元器件布局。經(jīng)測(cè)試，在85℃溫度下，放置4小時(shí)仍可以可靠點(diǎn)火。

（3）通信問(wèn)題改進(jìn)

JQ2012芯片優(yōu)化了指令接收單元，減少總線毛刺對(duì)通信的影響，降低現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)通信問(wèn)題的概率。經(jīng)測(cè)試，芯片解決了困擾行業(yè)的不合規(guī)母線應(yīng)用場(chǎng)景，如鋁線、鐵線、電纜線等平行線母線，達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。

（4）抗靜電性能提升

JQ2012芯片優(yōu)化了內(nèi)部大電流路徑，調(diào)整了芯片充電引腳和高壓電源引腳的數(shù)序。經(jīng)測(cè)試，優(yōu)化使得抗靜電能力更加穩(wěn)定均衡，使芯片在井下小斷面金屬礦等應(yīng)用場(chǎng)景的拒爆率進(jìn)一步降低。

（5）充電電流調(diào)整

JQ2012芯片為適應(yīng)更多的模塊同時(shí)充電，降低了最大充電電流值到0.8mA，這樣可以降低充電瞬間芯片復(fù)位的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)可以多顆芯片同時(shí)充電，減少充電時(shí)間。經(jīng)測(cè)試，芯片能兼容30uF至300uF的電容選型，大大擴(kuò)充了客戶模塊產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)空間，降低了客戶多產(chǎn)品線的生產(chǎn)成本。

（6）充電查詢DAC調(diào)整

JQ2012芯片調(diào)整了DAC設(shè)置為0-5對(duì)應(yīng)的查詢電壓值，可以降低芯片生產(chǎn)階段的檢測(cè)時(shí)間。經(jīng)測(cè)試，芯片最低的檢測(cè)電壓降低了2.63V，縮短了檢測(cè)時(shí)間，提升了檢測(cè)效率。在生產(chǎn)階段檢測(cè)更加完善，能有更多的設(shè)計(jì)空間，進(jìn)一步降低了客戶生產(chǎn)過(guò)程的成本。

（7）橋絲檢測(cè)功能升級(jí)

JQ2012芯片優(yōu)化了橋絲檢測(cè)電路，可以快速對(duì)橋絲通斷進(jìn)行檢測(cè)，對(duì)生產(chǎn)速度的提高有幫助。橋絲檢測(cè)電路還可以用于對(duì)儲(chǔ)能電容的快速放電，降低現(xiàn)場(chǎng)的安全風(fēng)險(xiǎn)。經(jīng)測(cè)試，JQ2012芯片對(duì)換能元件部分損壞，藥頭弱導(dǎo)電等情形的識(shí)別能力進(jìn)一步加強(qiáng)，對(duì)客戶模塊產(chǎn)品的可靠性進(jìn)一步提升。